鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：在半导体衬底上形成帽盖层；蚀刻所述帽盖层和所述半导体衬底，直至在所述半导体衬底中形成沟槽，相邻所述沟槽之间的半导体衬底形成鳍部；形成隔离材料层填充满所述沟槽并覆盖剩余的所述帽盖层；对所述隔离材料层进行平坦化直至暴露所述帽盖层上表面；对平坦化后的所述隔离材料层进行第一次蚀刻直至剩余的所述隔离材料层上表面齐平，并且剩余的所述隔离材料层上表面与剩余的所述帽盖层侧面垂直连接；采用SiConi蚀刻法对剩余的所述隔离材料层进行第二次蚀刻直至形成隔离层。所述形成方法形成的鳍式场效应晶体管鳍部轮廓好且隔离层上表面齐平，因此鳍式场效应晶体管的性能提高。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成帽盖层；蚀刻所述帽盖层和所述半导体衬底，直至在所述半导体衬底中形成沟槽，相邻所述沟槽之间的半导体衬底形成鳍部，剩余的所述帽盖层覆盖所述鳍部上表面；形成隔离材料层填充满所述沟槽并覆盖剩余的所述帽盖层；对所述隔离材料层进行平坦化直至暴露所述帽盖层上表面；对平坦化后的所述隔离材料层进行第一次蚀刻直至剩余的所述隔离材料层上表面齐平，并且剩余的所述隔离材料层上表面与剩余的所述帽盖层侧面垂直连接；采用SiConi蚀刻法对剩余的所述隔离材料层进行第二次蚀刻直至形成隔离层；去除剩余的所述帽盖层；在所述鳍部的上表面及侧面形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极。