半导体器件

摘要

提供一种可形成具有较好比率精确度的多晶硅电阻器以便设计具有高精确度的电阻器电路的方法。该方法中，构成多晶硅电阻器的低浓度杂质区域在纵向方向上的长度根据与低浓度杂质区域交叠的金属部分所占据的面积而改变，从而在不改变电阻器的外部形状和占据的面积的情况下校正电阻的变化。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的第一绝缘膜；设置在所述第一绝缘膜上的具有相同形状的多个电阻器，其由多晶硅制成，并且所述多个电阻器中的每一个具有具有长度和宽度的低浓度杂质区域以及连接所述低浓度杂质区域的两端的高浓度杂质区域；设置在所述多个电阻器上的第二绝缘膜；通过所述第二绝缘膜形成并且位于所述高浓度杂质区域之上的接触孔；连接到所述接触孔并串联连接所述多个电阻器的第一金属部分；以及提供在所述第二绝缘膜上面同时覆盖所述多个电阻器中的一个或多个电阻器的所述低浓度杂质区域的第二金属部分，其中当增加所述第二金属部分所占据的面积而增加电阻时，减少所述低浓度杂质区域在连接两端的所述高浓度杂质区域的方向上的长度以获得恒定电阻，并且其中对每个电阻器而言，所述低浓度杂质区域的长度与连接所述低浓度杂质区域的两端的所述高浓度杂质区域的长度之和是相同的。