| 摘要 |
Спосіб належить до галузі мікроелектроніки, а саме до технологій формування та виготовлення твердих планарних дифузійних джерел високої стабільності. Спосіб іонно-плазмового формування планарного дифузійного джерела із нітриду бору полягає в попередній хімічній обробці кремнієвих пластин великого діаметра (≥150 мм) у перекисно-аміачній суміші і промивці їх в деіонізованій воді з наступним формуванням джерела із нітридних плівок бору кубічної фази шляхом низькотемпературного процесу осадження із направлених іонно-плазмових потоків частинок з використанням двох роздільних потоків іонно-плазмових джерел, один з яких формується з продуктів дисоціації, збудження і іонізації сполуки - боразину (BNH), другий, азот (N), виступає як реактивний реагент і є основою азотної плазми. Технічним результатом винаходу є забезпечення високої однорідності на площі великих діаметрів пластин (більше ), відновлюваність у великій дифузійній зоні більше 10- та застосовуваність більше 100 процесів з послідовною їх реставрацією азотною активацією при T=1000 °C протягом 1-2 год. |
