发明名称 包含流体路径的MEMS器件及设备
摘要 本实用新型公开一种包含流体路径的MEMS器件及设备。MEMS器件,其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜,并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面,并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC,该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片,并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接,而不要求在帽体中的孔。本实用新型公还包括了使用本器件的设备。一种使用本器件的设备。
申请公布号 CN204384864U 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201420365209.3 申请日期 2014.06.30
申请人 意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司 发明人 D·法拉里;B·维格纳;L·M·卡斯托尔迪
分类号 B81B7/02(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/02(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华
主权项 一种MEMS器件,其特征在于,包括:第一半导体裸片,具有第一面和第二面;薄膜,形成在所述第一半导体裸片中或形成在所述第一半导体裸片上,并且面向所述第一面;帽体,耦合至所述第一半导体裸片,所述帽体具有面向所述第一半导体裸片的所述第一面并且与所述薄膜间隔开一定空间的内表面,所述帽体具有与所述内表面相对的外表面;支撑体,耦合至所述第一半导体裸片并且面向所述第一半导体裸片的所述第二面;封装材料,包封所述帽体的所述外表面和部分所述第一半导体裸片;以及流体路径,延伸通过所述支撑体和所述第一半导体裸片,并且将所述薄膜流体耦合至所述MEMS器件外部的环境。
地址 意大利阿格拉布里安扎