一种压阻式压力传感器

摘要

本发明公开了一种压阻式压力传感器，包括四个阻值相等的压敏电阻、玻璃层和键合在玻璃层上的单晶硅层，单晶硅层包含真空腔、位于真空腔正上方的单晶硅薄膜，以及位于真空腔周边的固支梁，单晶硅薄膜呈正方形；四个压敏电阻分别位于单晶硅薄膜四条边的中心处，其中两个相对的压敏电阻平行于单晶硅薄膜的边沿，另两个相对的压敏电阻垂直于单晶硅薄膜的边沿，垂直于单晶硅薄膜边沿的两个压敏电阻分别位于单晶硅薄膜上，平行于单晶硅薄膜边沿的两个压敏电阻分别位于固支梁顶面，四个压敏电阻构成惠斯通电桥。该压阻式压力传感器，在各种温度和压力下，测量传感器的压阻系数和压敏电阻更加快速和准确。

主权项

一种压阻式压力传感器，其特征在于，该传感器包括四个阻值相等的压敏电阻、玻璃层(1)和键合在玻璃层(1)上的单晶硅层，单晶硅层包含真空腔(2)、位于真空腔(2)正上方的单晶硅薄膜(3)，以及位于真空腔(2)周边的固支梁(4)，单晶硅薄膜(3)呈正方形；四个压敏电阻分别位于单晶硅薄膜(3)四条边的中心处，其中两个相对的压敏电阻平行于单晶硅薄膜(3)的边沿，另两个相对的压敏电阻垂直于单晶硅薄膜(3)的边沿，垂直于单晶硅薄膜(3)边沿的两个压敏电阻分别位于单晶硅薄膜(3)上，平行于单晶硅薄膜(3)边沿的两个压敏电阻分别位于固支梁(4)顶面，四个压敏电阻构成惠斯通电桥；该压敏电阻的压阻系数π(N,T)满足式(1)：π(N,T)＝P(N,T)π(300K)          式(1)其中，P(N,T)表示压力传感器的压阻因素，P(N,T)为关于费米卷积的函数；N表示压敏电阻的掺杂浓度，T表示温度，π(300K)表示温度为300K时压敏电阻的压敏系数，K表示温度单位开尔文。