一种抗闩锁的沟槽型绝缘栅双极型晶体管的制造工艺方法

摘要

本发明公开了一种抗闩锁的沟槽型绝缘栅双极型晶体管的制造工艺方法，本发明针对于沟槽型绝缘栅双极型场效应晶体管，引入了侧墙技术，利用保留在沟槽顶部露出硅表面的多晶硅作为台阶，淀积一层氧化层并干法回刻，形成侧墙，制作出基区电阻调整区域注入窗口，降低了沟道与源极电极间的基区电阻，更大程度优化了反向安全工作区，提高了不同元胞结构间基区电阻的一致性。同时，节省基区电阻调整专用光罩，简化了工艺。

主权项

一种抗闩锁的沟槽型绝缘栅双极型晶体管的制造工艺方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤1.准备一片硅片作为硅衬底，硅片参数由器件设计性质决定；步骤2.在硅衬底上淀积氧化层作为硬光刻版，涂光刻胶，利用沟槽掩模版曝光，显影，干法蚀刻氧化层，去除光刻胶，然后蚀刻硅衬底，形成沟槽;步骤3.在全硅片上生长栅氧化层；步骤4.在全硅片上淀积多晶硅，回刻完硅片表面多晶硅，并保留沟槽内的多晶硅；步骤5.去除原来的用于充当硬光刻版的氧化层，形成栅极多晶硅露出硅表面的结构；步骤6.注入与硅衬底导电类型相反的杂质，然后高温推进并激活，形成沟槽器件的沟道区域；步骤7.注入与硅衬底导电类型相同的杂质，而后激活注入的杂质，完成源极注入；步骤8.淀积氧化层，并干法回刻形成侧墙；步骤9.注入与硅衬底导电类型相反的杂质，形成基区电阻调节注入；步骤10.推进或激活注入的杂质，完成基区电阻调节；步骤11.淀积金属前绝缘介质层，形成金属与电极的隔离；步骤12.光刻定义接触孔区域，并刻蚀形成接触孔；步骤13.淀积硅片正面金属层，并合金，完成正面金属化；并定义金属图形，完成金属连线；步骤14.硅片背面注入集电极杂质并激活；步骤15.进行硅片背面金属化，形成最终结构。