| 发明名称 | 用于半导体加工的玻璃陶瓷基材 | ||
| 摘要 | 实施方式涉及可用于LED发光器件的具有III-V半导体层(例如，GaN层)的玻璃陶瓷基材。玻璃陶瓷材料是钙长石-金红石(CaAl2Si2O8+TiO2)种类或者堇青石-顽辉石(Mg2Al4Si5O18+MgSiO3)种类。 | ||
| 申请公布号 | CN104703939A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201380034718.6 | 申请日期 | 2013.06.12 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | G·H·比尔;J·G·库亚德;S·马加诺维克;G·A·默克尔 |
| 分类号 | C03C10/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | C03C10/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 项丹 |
| 主权项 | 一种制品，该制品包括：玻璃陶瓷基材；以及设置在所述基材的表面上的包含III‑V半导体的层，其中所述基材包含钙长石‑金红石(CaAl2Si2O8+TiO2)或者堇青石‑顽辉石(SiO2‑Al2O3‑MgO‑TiO2)材料。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||