| 发明名称 | LED外延片、LED结构及LED结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种发光二极管LED外延片，包括：衬底；形成在所述衬底顶层之上的第一多孔结构层；形成在所述第一多孔结构层之上的第二多孔结构层，其中，所述第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径；和形成在所述第二多孔结构层之上的LED结构层，其中，所述LED结构层之中至少包括第一型半导体层、发光层和第二型半导体层。本发明采用在孔隙率大的多孔硅上外延与Si材料热失配较大LED结构，从而可以通过脆弱的多孔硅层在冷却过程中发生部分形变释放掉热失配应力，保证外延的LED结构的完好，可以外延出大尺寸的LED结构，还可通过第二多孔结构层改善LED结构层的外延晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102122691B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201110021061.2 | 申请日期 | 2011.01.18 |
| 申请人 | 王楚雯;赵东晶 | 发明人 | 王楚雯;赵东晶 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种发光二极管LED外延片，其特征在于，包括：衬底，其中，所述衬底为含Si衬底；形成在所述衬底顶层之上的第一多孔结构层；形成在所述第一多孔结构层之上的第二多孔结构层，其中，所述第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径，其中，通过阳极氧化法形成所述第一多孔结构层和第二多孔结构层；和形成在所述第二多孔结构层之上的LED结构层，其中，所述LED结构层之中至少包括第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，其中，所述第一多孔结构层释放所述衬底和所述LED结构层之间的热失配应力，且所述第二多孔结构层改善所述LED结构层的外延晶体质量，其中，所述第一多孔结构层中包括多个第一区域和间隔在所述两个第一区域之间的第二区域，其中，所述第一区域的孔隙率及孔径均大于所述第二区域的孔隙率及孔径。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华大学南零楼3-302号 | ||