| 发明名称 | 多功能存储单元、阵列及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种多功能存储单元，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的电荷俘获式存储器，所述电荷俘获式存储器包括存储叠层结构以及在存储叠层结构两侧衬底内的源漏区；位于存储叠层结构一侧的源漏区上的阻变存储器。通过将电荷俘获式存储器和阻变存储器集成在一个存储单元中，可以根据不同的应用环境实现CTM或RRAM两种不同的存储方式，通过制造该存储单元便能提供具有CTM和RRAM两种功能的存储器件，大大降低了存储器产品的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102779550B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201110122303.7 | 申请日期 | 2011.05.12 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;许中广;霍宗亮;谢常青;龙世兵;张满红;李冬梅;王琴;刘璟;朱晨昕 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种多功能存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的电荷俘获式存储器，所述电荷俘获式存储器包括存储叠层结构以及在存储叠层结构两侧衬底内的源漏区；位于存储叠层结构一侧的源漏区上的阻变存储器；在所述源漏区和阻变存储器的下电极之间还包括：掺杂氧化层，所述掺杂氧化层具有同源漏区相反的掺杂类型。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||