发明名称 | 发射辐射的装置 | ||
摘要 | 本发明涉及一种发射辐射的装置,其具有:衬底、第一电极和第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发射器层,其发射在紫色或蓝色光谱范围中的光。发射器层包含基质材料并且(相对于基质材料)包含0.1-5个重量百分比的荧光、发射辐射的发射器和1-30个重量百分比的磷光激子俘获器。荧光发射器的发射最大值和磷光激子俘获器的发射最大值在蓝色、紫色或者紫外光谱范围中。 | ||
申请公布号 | CN102414856B | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
申请号 | CN201080018169.X | 申请日期 | 2010.04.22 |
申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 阿尔维德·洪策;邱建树;拉尔夫·克劳泽 |
分类号 | H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;李春晖 |
主权项 | 一种发射辐射的装置,其具有:‑衬底(1);‑第一电极(2)和第二电极(9),‑至少一个设置在第一电极和第二电极之间的发射层(5),其发射在紫色或蓝色光谱范围中的光,其中发射层包括基质材料并且相对于基质材料包括0.1‑5个重量百分比的发射辐射的荧光发射器和1‑30个重量百分比的磷光激子陷阱,其中激子陷阱的三线态水平T1<sub>激子陷阱</sub>高于发射辐射的发射器的单线态水平S1<sub>发射器</sub>,其中磷光激子陷阱和发射辐射的荧光发射器分布到整个发射层上,其中荧光发射器的发射最大值和磷光激子陷阱的发射最大值在蓝色、紫色或紫外光谱范围中,并且其中浓度梯度存在于发射层中。 | ||
地址 | 德国雷根斯堡 |