一种双端SRAM单元

摘要

本发明公开了一种双端SRAM单元，该SRAM单元包括CMOS反相器、与所述CMOS反相器相连的第一PMOS晶体管、与所述第一PMOS晶体管相连的第一电阻、与所述第一PMOS晶体管相连的第一传输晶体管及与所述CMOS反相器相连的第二传输晶体管，所述第一传输晶体管为写入操作传输晶体管，所述第二传输晶体管为读取操作传输晶体管，本发明提供的双端SRAM单元仅包含5个晶体管，因而大大节约了双端SRAM单元的面积，并且所述第一电阻的阻值比导通状态下的第一PMOS晶体管的阻值和第一传输晶体管的阻值大几个数量级，比关闭状态下的第一PMOS晶体管的阻值和第一传输晶体管的阻值小几个数量级，从而使得写“0”和写“1”操作都能顺利进行。

主权项

一种双端SRAM单元，其特征在于，包括：CMOS反相器，所述CMOS反相器连接在正电源电压和电源地之间；第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极接正电源电压，其栅极与所述CMOS反相器的输出端相连，其漏极与所述CMOS反相器的输入端相连；第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第一PMOS晶体管的漏极相连，其另一端接电源地；第一传输晶体管，所述第一传输晶体管的源极与所述第一PMOS晶体管的漏极相连，其漏极与第一位线相连，其栅极与第一字线相连，或：所述第一传输晶体管的漏极与所述第一PMOS晶体管的漏极相连，其源极与第一位线相连，其栅极与第一字线相连；以及第二传输晶体管，所述第二传输晶体管的源极与所述CMOS反相器的输出端相连，其漏极与第二位线相连，其栅极与第二字线相连，或：所述第二传输晶体管的漏极与所述CMOS反相器的输出端相连，其源极与第一位线相连，其栅极与第二字线相连。