发明名称 | 栅极的形成方法 | ||
摘要 | 一种栅极的形成方法,包括:提供衬底并设置第一区域以及第二区域;在衬底上分别形成第一栅极、蚀刻停止层以及层间介质层;进行第一平坦化处理,以露出第一区域的第一栅极,以及第二区域的蚀刻停止层;去除露出的蚀刻停止层直至露出第二区域的第一栅极;去除第一区域以及第二区域的第一栅极;在所述第一区域以及第二区域中第一栅极的位置处形成第二栅极。本发明具有以下优点:通过使残留在栅极上的蚀刻停止层暴露出,并选择性的去除所述蚀刻停止层,以将被残留的蚀刻停止层遮挡的栅极暴露出来,方便后续去除所述栅极的步骤的进行。 | ||
申请公布号 | CN104701151A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
申请号 | CN201310655106.0 | 申请日期 | 2013.12.05 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 曾以志 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种栅极的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,在所述衬底上设置第一区域以及第二区域;在所述第一区域以及第二区域的衬底上分别形成第一栅极,所述第一区域的第一栅极高于所述第二区域的第一栅极;在所述第一区域以及第二区域的衬底以及第一栅极上形成蚀刻停止层;在所述蚀刻停止层上形成层间介质层;对所述层间介质层进行第一平坦化处理,以露出所述第一区域的第一栅极,以及第二区域的蚀刻停止层;去除露出的蚀刻停止层直至露出第二区域的第一栅极;去除第一区域以及第二区域的第一栅极;在所述第一区域以及第二区域中第一栅极的位置处形成第二栅极。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |