低栅极电阻的光罩式只读存储器的结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种低栅极电阻的光罩式只读存储器的制造方法，步骤包括：1）用现有工艺在硅衬底有源区形成浅隔离槽，完成P阱注入和N型埋源漏注入，形成栅氧和多晶硅栅极；2）淀积二氧化硅介质层，回刻，形成栅极第一隔离侧墙；3）再次淀积二氧化硅介质层，回刻，去除多晶硅栅极上的二氧化硅介质层，在第一隔离侧墙边上形成第二隔离侧墙；4）进行硅金属化工艺，在多晶硅栅极上形成金属硅化物。本发明还公开了用上述方法形成的光罩式只读存储器的结构。本发明通过用介质层填充栅极间隙，将源漏覆盖住，使硅金属化工艺得以应用于光罩式只读存储器的制造，从而降低了栅极寄生电阻和电路RC延迟，提高了器件的读取速度，且不会出现源漏短路问题。

主权项

低栅极电阻的光罩式只读存储器的制造方法，其特征在于，步骤包括：1）用现有工艺在硅衬底有源区上形成浅隔离槽，完成P阱注入和N型埋源漏注入，并形成栅氧和多晶硅栅极；2）淀积二氧化硅介质层，回刻，形成栅极第一隔离侧墙；3）再次淀积二氧化硅介质层，回刻，去除多晶硅栅极之上的二氧化硅介质层，在栅极第一隔离侧墙边上形成栅极第二隔离侧墙；4）进行硅金属化工艺，在多晶硅栅上形成金属硅化物。