| 发明名称 | 一种CdTe溅射靶材的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CdTe溅射靶材的制备方法，属于太阳能电池材料领域。该方法包括如下步骤：（1）将真空熔炼制备的CdTe块体，破碎研磨成粉，将得到的CdTe粉末装入模具，进行冷压成型；（2）冷压成型后，放置于热压炉内，进行真空热压烧结；热压温度在500～800℃，压力为20MPa～200MPa，温保压时间30min～120min；（3）真空热压烧结完成后，停炉冷却、脱模取料，进行机械加工。通过本发明方法得到的CdTe溅射靶材的致密度可以达到98%以上，平均晶粒尺寸在45nm以下，靶材结晶度达到80%以上。 | ||
| 申请公布号 | CN104694889A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310670692.6 | 申请日期 | 2013.12.10 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 储茂友;王星明;白雪;韩沧;张碧田 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 刘徐红 |
| 主权项 | 一种CdTe溅射靶材的制备方法，包括如下步骤：（1）将真空熔炼制备的CdTe块体，破碎研磨成粉，将得到的CdTe粉末装入模具，进行冷压成型；（2）冷压成型后，放置于热压炉内，进行真空热压烧结；（3）真空热压烧结完成后，停炉冷却、脱模取料，进行机械加工。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||