| 发明名称 | 一种硅酸铝镓钽钙压电晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅酸铝镓钽钙压电晶体及其制备方法。所述晶体的化学通式为Ca<sub>3</sub>TaAl<sub>(3-x)</sub>Ga<sub>x</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>14</sub>，其中，0.3＜x＜2.5；所述晶体具有与硅酸镓镧晶体相同的晶体结构，属空间群P321、点群32。本发明采用提拉生长法制备所述晶体。本发明所提供的硅酸铝镓钽钙压电晶体兼具优异的压电性能、良好的结晶性能、成本较低廉、易于生长大尺寸晶体等优点，有利于晶体的广泛实用化，有望获得大规模工业化应用。 | ||
| 申请公布号 | CN104695018A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310655381.2 | 申请日期 | 2013.12.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 | 发明人 | 熊开南;郑燕青;涂小牛;林全明;李亚乔;施尔畏 |
| 分类号 | C30B29/34(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人 | 何葆芳 |
| 主权项 | 一种硅酸铝镓钽钙压电晶体，其特征在于：其化学通式为Ca<sub>3</sub>TaAl<sub>(3‑x)</sub>Ga<sub>x</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>14</sub>，其中，0.3＜x＜2.5；所述晶体具有与硅酸镓镧晶体相同的晶体结构，属空间群P321、点群32。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||