半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧形成偏移侧墙；对所述偏移侧墙进行第一掺杂和第二掺杂的共掺杂，且第一掺杂捕获偏移侧墙中的缺陷，第二掺杂提高偏移侧墙靠近半导体衬底表面区域的掺杂离子含量；以所述偏移侧墙为掩膜，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成轻掺杂区；在所述偏移侧墙侧壁形成主侧墙；以所述主侧墙为掩膜，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成重掺杂区。本发明形成的半导体器件减少了偏移侧墙下半导体衬底内硼离子含量，降低硼离子向沟道区扩散的几率，从而改善半导体器件的短沟道效应，优化半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底表面形成偏移侧墙；对所述偏移侧墙进行第一掺杂和第二掺杂，且第一掺杂捕获偏移侧墙中的缺陷，第二掺杂提高偏移侧墙靠近半导体衬底表面区域的掺杂离子含量；以所述偏移侧墙为掩膜，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成轻掺杂区，且所述轻掺杂区的掺杂离子类型与第二掺杂的掺杂离子类型相同；在所述偏移侧墙的侧壁形成主侧墙；以所述主侧墙为掩膜，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂离子与轻掺杂区的掺杂离子类型相同。