| 发明名称 | 发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管，所述发光二极管至少包括衬底；形成于所述衬底上的N型GaN层；所述N型GaN层中形成有周期性排列的Al<sub>x</sub>Ga<sub>x</sub>N/In<sub>y</sub>Ga<sub>y</sub>N超晶格层；其中，0﹤x≤0.3；0﹤y≤0.1；形成于所述N型GaN层上的有源区；形成于所述有源区上的P型AlGaN层或AlInGaN层；形成于所述P型AlGaN层或AlInGaN层上的P型GaN层以及形成于所述P型GaN层和N型GaN层上的电极。本发明在NGaN中间插入AlGaN/InGaN超晶格，提高了N型电流扩展能力，可以降低器件工作电压，也可以提高器件发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104701429A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310648056.3 | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 上海蓝光科技有限公司 | 发明人 | 陈耀;王雪娟;李振毅;邢志刚;齐胜利;郝茂盛 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管至少包括衬底；形成于所述衬底上的N型GaN层；所述N型GaN层中形成有周期性排列的Al<sub>x</sub>Ga<sub>x</sub>N/In<sub>y</sub>Ga<sub>y</sub>N超晶格层；其中，0﹤x≤0.3；0﹤y≤0.1；形成于所述N型GaN层上的有源区；形成于所述有源区上的P型AlGaN层或AlInGaN层；形成于所述P型AlGaN层或AlInGaN层上的P型GaN层以及形成于所述P型GaN层和N型GaN层上的电极。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 | ||