| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有伪栅极结构；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述伪栅极结构两侧的半导体衬底，在所述半导体衬底内形成第一凹槽；形成填充满所述第一凹槽的材料层；对所述材料层进行掺杂，形成掺杂区；采用第二刻蚀工艺刻蚀去除所述伪栅极结构、以及位于所述伪栅极结构底部的部分厚度的半导体衬底，形成第二凹槽，且形成的第二凹槽具有凹陷的底部形貌；在所述第二凹槽的底部形成栅介质层，在所述栅介质层表面形成栅导电层，且所述栅导电层填充满所述第二凹槽。本发明提高了沟道区载流子迁移率，提高半导体器件的运行速度，且改善了短沟道效应。 | ||
| 申请公布号 | CN104701149A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310646208.6 | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有伪栅极结构；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述伪栅极结构两侧的半导体衬底，在所述半导体衬底内形成第一凹槽；形成填充满所述第一凹槽的材料层；对所述材料层进行掺杂，形成掺杂区；采用第二刻蚀工艺刻蚀去除所述伪栅极结构、以及位于所述伪栅极结构底部的部分厚度的半导体衬底，形成第二凹槽，且形成的第二凹槽具有凹陷的底部形貌；在所述第二凹槽的底部形成栅介质层，在所述栅介质层表面形成栅导电层，且所述栅导电层填充满所述第二凹槽，所述栅导电层和栅介质层形成栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||