| 发明名称 | 电熔丝结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种电熔丝结构及其形成方法，其中电熔丝结构包括：基底，在所述基底中形成有浅沟槽隔离结构；位于所述浅沟槽隔离结构上的电熔丝，所述电熔丝包括阳极、阴极、和位于所述阳极和阴极之间的条形的熔丝，所述电熔丝在基底上表面的投影位于浅沟槽隔离结构上表面范围内；所述电熔丝的材料为镍、钴或钛。相比于现有技术的使用多晶硅制成电熔丝的工艺，镍、钴或钛的自由电子数量较多，使得电熔丝中载流子迁移率较大，这减小了熔断电流值。这样，即使具有缺陷的外部电路提供的电流较小，也可使熔丝熔断，提高了电熔丝的灵敏性。 | ||
| 申请公布号 | CN104701295A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310655116.4 | 申请日期 | 2013.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈宗高;汪铭;陈轶群;王海强 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种电熔丝结构，其特征在于，包括：基底，在所述基底中形成有浅沟槽隔离结构；位于所述浅沟槽隔离结构上的电熔丝，所述电熔丝包括阳极、阴极、和位于所述阳极和阴极之间的熔丝；所述电熔丝的材料为镍、钴或钛。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||