半导体装置

摘要

本发明提供能够实现高速化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备重复配置有晶体管的晶体管区域和配置有二极管的二极管区域，所述晶体管具有：集电极电极；发射极电极；第1导电型半导体的集电极层；第2导电型半导体的基极层；第1导电型半导体的第一体层；第2导电型半导体的发射极层；与第一体层相比第1导电型杂质浓度更高的第1导电型半导体的第二体层；栅极电极；以及栅极绝缘膜；所述二极管具有：阴极电极；阳极电极；第1导电型半导体的第一阳极层；以及与第一阳极层相比第1导电型杂质浓度更高的第1导电型半导体的第二阳极层。并且，第二体层的第1导电型杂质的杂质量比第二阳极层的第1导电型杂质的杂质量多。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备重复配置有晶体管的晶体管区域和配置有二极管的二极管区域，所述晶体管具有：集电极电极；发射极电极；第1导电型半导体的集电极层，设置在上述集电极电极与上述发射极电极之间；第2导电型半导体的基极层，设置在上述集电极层与上述发射极电极之间；第1导电型半导体的第一体层，设置在上述基极层与上述发射极电极之间；第2导电型半导体的发射极层，设置在上述第一体层与上述发射极电极之间；第1导电型半导体的第二体层，设置在上述第一体层与上述发射极电极之间，与上述第一体层相比，上述第二体层的第1导电型杂质浓度更高；栅极电极；以及栅极绝缘膜，设置在上述基极层、上述第一体层以及上述发射极层与上述栅极电极之间；所述二极管具有：阴极电极；阳极电极，设置为该阳极电极与上述阴极电极之间夹着上述基极层；第1导电型半导体的第一阳极层，设置在上述基极层与上述阳极电极之间；以及第1导电型半导体的第二阳极层，设置在上述第一阳极层与上述阳极电极之间，与上述第一阳极层相比，上述第二阳极层的第1导电型杂质浓度更高；上述晶体管区域的、被上述晶体管的重复间距和与上述晶体管的重复方向垂直的方向上的规定长度所包围的第一区间内的上述第二体层的第1导电型杂质的杂质量，比上述二极管区域的、与上述第一区间尺寸相同的第二区间内的上述第二阳极层的第1导电型杂质的杂质量多。