一种使用化学收缩方法实现亚半微米T型栅的制备方法

摘要

一种使用化学收缩方法实现亚半微米T型栅的制备方法，在GaAs衬底外延层均匀涂上第一层光刻正胶；使用步进投影光刻机进行曝光、显影，在厚度0.35μm的正胶膜上形成第一层胶窗口，即栅光刻的底部窗口；对第一层正胶进行处理，使用Relacs涂布材料涂在底层胶表面使Relacs涂布材料与正胶表面形成一定厚度的稳定的薄膜，使用显影液对形成的薄膜进行显影，保证砷化镓表面残留的Relacs涂布材料能够完全去除干净，这时正胶表面和栅条的侧壁将留下一定厚度的薄膜；涂上负lift-out图形工艺胶；使用步进投影光刻机进行曝光；用电子束蒸发台，淀积Ti/Pt/Au栅金属；使用剥离液剥离所有胶体，形成T型栅。

主权项

一种使用化学收缩方法实现亚半微米T型栅的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，S1.在GaAs衬底外延层均匀涂上第一层光刻正胶；S2.使用步进投影光刻机进行曝光，显影，在厚度0.35μm的正胶膜上形成第一层胶窗口，即栅光刻的底部窗口；S3.对第一层正胶进行处理，使用Relacs涂布材料涂在底层胶表面，厚度0.35μm，使Relacs涂布材料与正胶表面形成一定厚度的稳定的薄膜，使用显影液对形成的薄膜进行显影，保证砷化镓表面残留的Relacs涂布材料能够完全去除干净，这时正胶表面和栅条的侧壁将留下一定厚度的薄膜；S4.涂上负lift‑out图形工艺胶，厚度为1.0um；S5.使用步进投影光刻机进行曝光；形成双层胶T型栅完整的胶型结构，这种结构能够使金属完全地填满底部栅条而不至于淀积到上层胶的侧壁，有助于淀积后金属的剥离；S6.采用电子束蒸发台，淀积Ti/Pt/Au栅金属；S7.使用剥离液剥离所有胶体，形成0.25umT型栅。