| 发明名称 | 结晶质半导体的制造方法和结晶质半导体的制造装置 | ||
| 摘要 | 为了提供能够更为均匀地对非晶质半导体进行结晶化的结晶质半导体的制造方法及结晶质半导体的制造装置，本发明包括：多个脉冲激光光源(2、3)、以及将多个脉冲激光引导至非晶质半导体的光学系统(12)，各脉冲激光在随时间流逝而发生强度变化的1个脉冲中，至少具有第1个波峰组、以及在其后出现的第2个波峰组，且所述第1个波峰组中的最大波峰强度成为所述1个脉冲中的最大高度，将所述第1个波峰组的所述最大波峰强度a与所述第2个波峰组的最大波峰强度b的比b/a设为最大波峰强度比，将作为基准的所述最大波峰强度比设为基准最大波峰强度比，多个所述脉冲激光的所述最大波峰强度比与所述基准最大波峰强度比的差设为4％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104704610A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201380052225.5 | 申请日期 | 2013.10.02 |
| 申请人 | 株式会社日本制钢所 | 发明人 | 郑石焕;次田纯一;町田政志 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 胡秋瑾 |
| 主权项 | 一种结晶质半导体的制造方法，通过对非晶质半导体照射以不同的路径导波得到的多个脉冲激光来对所述非晶质半导体进行结晶化，所述结晶质半导体的制造方法的特征在于，对于多个所述脉冲激光，在随时间流逝而发生强度变化的1个脉冲中，至少具有第1个波峰组、以及在其后出现的第2个波峰组，且所述第1个波峰组的最大波峰强度成为所述1个脉冲中的最大高度，将所述第1个波峰组的所述最大波峰强度a与所述第2个波峰组的最大波峰强度b的比b/a设为最大波峰强度比，将作为基准的所述最大波峰强度比设为基准最大波峰强度比，多个所述脉冲激光的所述最大波峰强度比与所述基准最大波峰强度比的差在4％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||