| 发明名称 | 半导体存储器件、刷新控制系统和刷新控制方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件包括：正常命令发生单元，其适于响应于刷新命令而产生正常刷新命令；智能命令发生单元，其适于对刷新命令执行计数操作以产生在预定的时段被激活的多个智能刷新命令；以及刷新操作单元，其适于响应于正常刷新命令和多个智能刷新命令而执行刷新操作，其中，智能命令发生单元当进入刷新操作时，将计数操作复位。 | ||
| 申请公布号 | CN104700884A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201410440419.9 | 申请日期 | 2014.09.01 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李宰承;宋清基 |
| 分类号 | G11C11/406(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/406(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：正常命令发生单元，其适于响应于刷新命令而产生正常刷新命令；智能命令发生单元，其适于对所述正常刷新命令执行计数操作以产生在预定的时段被激活的多个智能刷新命令；以及刷新操作单元，其适于响应于所述正常刷新命令和所述多个智能刷新命令而执行刷新操作，其中，所述智能命令发生单元当进入所述刷新操作时，将所述计数操作复位。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||