| 发明名称 | 具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件。半导体结构包括在绝缘层的开口中形成的金属栅极结构。该金属栅极结构包括栅极介电层、阻挡层、位于栅极介电层和阻挡层之间的功函金属层、以及位于阻挡层上方的功函调整层，其中，功函金属具有有序的晶粒取向。本发明还提供了制造具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104701310A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201410734195.2 | 申请日期 | 2014.12.04 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李达元;刘冠廷;钟鸿钦;李显铭;张文;章勋明;罗唯仁 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：金属栅极结构，形成在绝缘层的开口中，所述金属栅极结构包括：栅极介电层；阻挡层；功函金属层，位于所述栅极介电层和所述阻挡层之间，其中，功函金属具有有序的晶粒取向；以及功函调整层，位于所述阻挡层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||