| 摘要 |
수직 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 동작방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 수직 구조의 낸드 스트링을 포함한다. 낸드 스트링은 복수의 메모리셀들 및 상기 복수의 메모리셀들의 일측에 서로 인접하게 배치된 적어도 한 쌍의 제 1 선택 트랜지스터들을 포함한다. 복수의 워드 라인들은 상기 낸드 스트링의 상기 복수의 메모리셀들에 결합된다. 제 1 선택 라인은 상기 낸드 스트링의 상기 적어도 한 쌍의 제 1 선택 트랜지스터들에 공통으로 결합된다. |
