| 发明名称 |
INTERNAL REFORMING SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH, INTERNAL REFORMING SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, BULK SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHODS THEREFOR |
| 摘要 |
<p>임의의 휘어진 형상 및/또는 휘어진 상태량을 가지는 에피택셜성장용 내부개질기판, 이것을 이용한 다층막형성 내부개질기판, 반도체 디바이스, 및 반도체 벌크 기판, 및 그들의 제조 방법을 제공하는 것이다. 단결정 기판과, 단결정 기판에 대한 레이저 조사에 의해 이 단결정 기판의 내부에 형성되는 열변성층을 포함해서 되는 에피택셜성장용 내부개질기판으로 한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR101527457(B1) |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
| 申请号 |
KR20127022196 |
申请日期 |
2011.03.04 |
| 申请人 |
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发明人 |
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| 分类号 |
B23K26/40;C30B29/20;H01L21/20;H01L21/268 |
主分类号 |
B23K26/40 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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