| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底具有器件区、以及围绕所述器件区的密封环区，所述衬底表面具有介质层；位于密封环区介质层内的第一密封环结构，所述第一密封环结构包围所述器件区，所述第一密封环结构包括：若干层重叠设置的第一连接层，相邻两层第一连接层之间由介质层隔离，至少一层第一连接层由若干分立的子连接层构成，相邻子连接层之间由介质层隔离；位于相邻第一连接层之间的若干第一导电插塞，所述第一导电插塞的顶部与所述第一连接层连接，至少两层相邻第一连接层之间的第一导电插塞底部伸入相邻子连接层之间的介质层内。半导体结构对器件区的保护能力增强。 | ||
| 申请公布号 | CN104701271A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310655093.7 | 申请日期 | 2013.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宁先捷 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有器件区、以及围绕所述器件区的密封环区，所述衬底表面具有介质层；位于密封环区介质层内的第一密封环结构，所述第一密封环结构包围所述器件区，所述第一密封环结构包括：若干层重叠设置的第一连接层，相邻两层第一连接层之间由介质层隔离，至少一层第一连接层由若干分立的子连接层构成，相邻子连接层之间由介质层隔离；位于相邻第一连接层之间的若干第一导电插塞，所述第一导电插塞的顶部与所述第一连接层连接，至少两层相邻第一连接层之间的第一导电插塞底部伸入相邻子连接层之间的介质层内。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||