发明名称 |
一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法 |
摘要 |
本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法,具体是利用两步干法刻蚀接触孔,将接触孔先刻蚀至硅表面,然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀,其中最后一步接触孔刻蚀菜单对硅和氧化硅的选择比为1:1,并且刻蚀硅表面约1000埃以上,同时使沟槽侧壁内的氧化硅突出硅表面,最后利用金属形成肖特基接触。本发明旨在解决沟槽肖特基二极管产品漏电大的问题,且能提高产品面内均匀性,降低生产成本,提高产品良率,使其适合规模化量产。 |
申请公布号 |
CN104701161A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201310655056.6 |
申请日期 |
2013.12.06 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
李昊;刘远良 |
分类号 |
H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/329(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
王函 |
主权项 |
一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法,其特征在于,主要包括如下步骤:步骤1:参照标准沟槽型肖特基二极管制备工艺,在硅片上形成沟槽并用多晶硅进行填充,然后利用干法刻蚀将沟槽外的多晶硅进行回刻;步骤2:沉积一层层间介质膜,开始形成接触孔;步骤3:利用干法刻蚀工艺,将接触孔先刻蚀至硅表面,然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀;步骤4:刻蚀硅使沟槽内的氧化硅突出硅平面;步骤5:然后沉积一层金属,从而形成肖特基接触;步骤6:最后沉积金属铝并通过光刻,刻蚀工艺形成金属连接。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |