垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，其包括衬底、外延结构以及源、漏、栅极，所述外延结构包括依次形成在所述衬底正面的电流阻挡层、第二半导体层、第一半导体层和钝化层，所述第一半导体层和/或第二半导体层内分布有二维电子气沟道，所述源极与第一半导体层电连接，所述栅极设置在所述钝化层上，所述漏极设置在所述衬底背面，其中所述电流阻挡层采用高阻GaN层，且所述高阻GaN层中于位于栅极下方的区域内分布有Si离子注入形成的n型重掺杂电流导通通孔。本发明器件具有高耐压、低漏电等优点。本发明还公开了所述HEMT器件的制作方法。

主权项

一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，包括衬底、外延结构以及源、漏、栅极，所述外延结构包括依次形成在所述衬底正面的电流阻挡层、第二半导体层、第一半导体层和钝化层，所述第一半导体层和/或第二半导体层内分布有二维电子气沟道，所述源极与第一半导体层电连接，所述栅极设置在所述钝化层上，所述漏极设置在所述衬底背面，其特征在于所述电流阻挡层采用高阻GaN层，且所述高阻GaN层中于位于栅极下方的区域内分布有Si离子注入形成的n型重掺杂电流导通通孔。