一种半浮栅器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半浮栅器件的制造方法，通过对刻蚀过程中槽形沟道区域内靠近场氧化层侧壁处残留的硅进行斜角注入，形成沟道的阻止层，阻止电流沿着侧壁之间残留下的硅的方向流动，使得电流可沿着器件凹槽形沟道方向流动，从而减小了在源区和漏区之间发生漏电的现象，改善器件性能，减小工艺难度，使半浮栅器件可用于高速低功耗的应用。

主权项

一种半浮栅器件的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，在具有第一种掺杂类型的半导体衬底内形成用于器件隔离的场氧化层，场氧化层之间形成有源区；步骤S02，在所述有源区内形成具有第二种掺杂类型的轻掺杂区；步骤S03，在所述轻掺杂区中通过光刻和刻蚀工艺形成槽形区域，用于形成槽形沟道，并在所述槽形沟道两侧形成源区和漏区；步骤S04，对在刻蚀过程中形成的槽形沟道区域内靠近场氧化层的侧壁处残留的衬底硅进行斜角注入以形成沟道阻止层；步骤S05，在所述半导体衬底表面生长第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述源区、漏区和槽形沟道，在所述漏区上方靠近槽形沟道的第一绝缘层处刻蚀形成浮栅开口区域以露出漏区；步骤S06，在所述半导体衬底表面淀积具有第一种掺杂类型的第一导电层，并通过光刻刻蚀第一导电层定义出器件的浮栅区域，所述浮栅区域覆盖所述第一绝缘层和浮栅开口区域；步骤S07，在所述半导体衬底表面生长第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源区、漏区，并通过光刻和刻蚀工艺形成浮栅区域；步骤S08，在所述第二绝缘层之上淀积第二导电层，并通过光刻刻蚀定义出器件的控制栅；步骤S09，淀积第三绝缘层，通过刻蚀工艺反刻形成控制栅的侧墙，对所述控制栅和未被控制栅覆盖的源区、漏区进行第二种掺杂类型的离子注入。