电阻式存储器装置及其写入方法

摘要

本发明公开了一种电阻式存储器装置及其写入方法，其中，电阻式存储器装置包括存储单元阵列以及存储器控制器。存储器控制器在设定期间及重置期间的其一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第一位元线电压及未选中字线第一字线电压，其中，第一位元线电压等于写入电压V_W乘以(n-1)/n，第一字线电压等于V_W×1/n。存储器控制器在设定期间及重置期间的另一提供未连接至选中电阻式存储单元的未选中位元线第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的未选中字线第二字线电压，其中，第二位元线电压等于V_W×1/n，第二字线电压等于V_W×(n-1)/n。

主权项

一种电阻式存储器装置，包括：一存储单元阵列，包括多数个存储器单元，各该存储器单元包括相互堆叠的多数个电阻式存储单元，该多个电阻式存储单元分别耦接至多数条字线，该多个存储器单元并分别耦接至多数条位元线；以及一存储器控制器，耦接该存储单元阵列，其中，该存储器控制器在一设定期间及一重置期间的其中之一提供未连接至一选中电阻式存储单元的多数条未选中位元线一第一位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的多数条未选中字线一第一字线电压，其中，该第一位元线电压等于一写入电压V_W乘以(n‑1)/n，该第一字线电压等于V_W×1/n，n为大于3的实数，该存储器控制器在该设定期间及该重置期间的另一提供未连接至该选中电阻式存储单元的该多个未选中位元线一第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式存储单元的该多个未选中字线一第二字线电压，其中，该第二位元线电压等于V_W×1/n，该第二字线电压等于V_W×(n‑1)/n。