| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底和栅极结构的掩膜层；采用沉积工艺在所述掩膜层表面形成光刻胶保护层；在所述光刻胶保护层表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述光刻胶保护层和掩膜层，形成图形化的光刻胶保护层和掩膜层；以所述图形化的光刻胶保护层和掩膜层为掩膜，刻蚀与栅极结构相邻的部分厚度的半导体衬底，形成凹槽；去除所述图形化的光刻胶层；去除所述光刻胶保护层；采用外延工艺形成填充满所述凹槽的应力层。本发明提高外延工艺的选择性，避免在不期望区域进行应力层材料的生长，提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104701166A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310652259.X | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底和栅极结构的掩膜层；采用沉积工艺在所述掩膜层表面形成光刻胶保护层；在所述光刻胶保护层表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述光刻胶保护层和掩膜层，形成图形化的掩膜层和光刻胶保护层；以所述图形化的光刻胶保护层和掩膜层为掩膜，刻蚀与栅极结构相邻的部分厚度的半导体衬底，形成凹槽；去除所述图形化的光刻胶层；去除所述光刻胶保护层；采用外延工艺形成填充满所述凹槽的应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||