| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成至少一个伪栅结构，所述伪栅结构包括自下而上的栅极介质层、盖帽层和伪栅；在所述伪栅露出的衬底中形成源区和漏区;在所述伪栅上覆盖层间介质层；采用包括氧气的刻蚀剂去除所述伪栅，在伪栅原本所在位置处形成开口，在所述开口中形成金属栅极。去除所述伪栅时，刻蚀剂中氧气所占比例随时间下降，等离子体刻蚀的偏置电压随时间下降，使得在将伪栅去除干净的同时，对伪栅外侧的层间介质层、与所述伪栅相连的其他晶体管的伪栅影响较小，使去除伪栅后形成的开口形貌较好，并且使伪栅下面的盖帽层保持良好的形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN104701165A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310647757.5 | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成至少一个伪栅结构，所述伪栅结构包括自下而上的栅极介质层、盖帽层和伪栅；在所述伪栅结构露出的衬底中形成源区和漏区；在所述伪栅结构上覆盖层间介质层；采用包括氧气的刻蚀剂去除所述伪栅，在伪栅原本所在位置处形成开口，且在去除伪栅的过程中，氧气占刻蚀剂的比例随时间下降；在所述开口中形成金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||