| 发明名称 | 一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基场效应晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、氮化铝镓(AlGaN)层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，所述栅极是由导电类钻碳(Diamond-like carbon；DLC)制成，所述导电DLC中，sp2键的含量大于50％。本发明用类钻碳作为栅极材料降低了栅极区域的自发性热效应，提高稳定性，同时利用掺杂类钻碳的方式调整栅极阻值与极性，实现增强型工作的目的。本发明还公开了上述晶体管的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104701364A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201510057890.4 | 申请日期 | 2015.02.04 |
| 申请人 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 发明人 | 叶念慈;徐宸科;林科闯 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人 | 连耀忠 |
| 主权项 | 一种氮化镓基场效应晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、氮化铝镓(AlGaN)层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其特征在于：所述栅极是由导电类钻碳(Diamond‑like carbon；DLC)制成，所述导电DLC中，sp2键的含量大于50％。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市吕岭路1733-1751号 | ||