| 发明名称 | 肖特基装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及肖特基装置。根据一个实施例，提供了一种肖特基装置，其包括：第一导电类型的半导体材料，其具有第一和第二主表面；第二导电类型的掺杂区，其从所述第一主表面延伸小于零偏置耗尽边界的距离；以及与所述掺杂区接触的肖特基接触。根据本公开的肖特基装置提供快速开关和软恢复特性，以及高的电压阻断能力、低的泄漏电流、以及低的正向电压降。根据本公开的肖特基装置可以成本有效地和/或时间有效地制造，并且可以与肖特基装置制造工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN204391108U | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201520107197.9 | 申请日期 | 2015.02.13 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | M·格瑞斯伍尔德;M·T·库杜斯;A·萨利赫;M·马德霍尔卡 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种肖特基装置，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体材料，其具有第一和第二主表面；第二导电类型的掺杂区，其从所述第一主表面延伸小于零偏置耗尽边界的距离；以及与所述掺杂区接触的肖特基接触。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||