| 发明名称 | 长波红外非线性CdGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>晶体及其生长方法与用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种长波红外非线性CdGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>晶体及其生长方法与用途；该CdGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>多晶料采用高温固相反应合成；CdGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>长波红外非线性晶体采用自发成核坩埚下降法或定向籽晶辅助的坩埚下降法生长；所得CdGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>非线性光学晶体粉末倍频效应约为AgGaS<sub>2</sub>的3倍，红外区域透光波段可至长波红外21μm，且机械性能好，化学特性稳定，不易潮解，适宜定向、切割、抛光。该CdGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>长波红外非线性晶体可用于制作红外非线性光学器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104695022A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201510103218.4 | 申请日期 | 2015.03.09 |
| 申请人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明人 | 王振友;吴海信;毛明生;倪友保;黄昌保;肖瑞春;戚鸣 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人 | 成金玉;孟卜娟 |
| 主权项 | 一种长波红外非线性CdGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>晶体，其特征在于：包括Cd、Ga、Se，上述三种单质按摩尔比例1:2:4的比例构成；所述CdGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>长波红外非线性晶体不具备对称中心，属于四方晶系，缺陷黄铜矿结构，空间群为<img file="FDA0000679308390000011.GIF" wi="84" he="75" />其晶胞参数为：<img file="FDA0000679308390000012.GIF" wi="502" he="70" /><img file="FDA0000679308390000013.GIF" wi="84" he="70" /> | ||
| 地址 | 230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号 | ||