发明名称 一种阵列基板的制作方法及阵列基板
摘要 本发明公开了一种阵列基板的制作方法,包括:预刻蚀,自基板上表面的第一层对阵列基板进行刻蚀形成过孔,直至所述过孔延伸至需要电连接的金属层;二次刻蚀,对所述过孔进行再次刻蚀,使所述过孔的至少一个边缘延伸至越过所述金属层的一个边缘,形成通孔;沉积电极层,连接所述金属层与相应的金属部分。本发明还公开了一种使用该方法制造的阵列基板。本发明将阵列基板的过孔的至少一个边缘延伸至越过金属层的一个边缘,形成通孔,液体在过孔内容易经过风刀吹出二不产生残留,可以确保电极层沉积过程中能与金属层完全接触,避免不良品的产生。
申请公布号 CN104701250A 申请公布日期 2015.06.10
申请号 CN201510094449.3 申请日期 2015.03.03
申请人 深圳市华星光电技术有限公司 发明人 高冬子
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人 孙伟峰
主权项 一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:预刻蚀,自基板上表面的第一层(12)对阵列基板进行刻蚀形成过孔(11),直至所述过孔(11)延伸至需要电连接的金属层(10);二次刻蚀,对所述过孔(11)进行再次刻蚀,使所述过孔(11)的至少一个边缘延伸至越过所述金属层(10)的一个边缘,形成通孔;沉积电极层(13),连接所述金属层(10)与相应的金属部分。
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