有源硅基板的制作方法

摘要

本发明公开了有源硅基板的制作方法，首先在有源晶圆片上涂覆和固化第一层非光敏BCB介质，然后在BCB膜层上光刻和刻蚀出通孔，随后在BCB介质层制作第一层TiW/Au导带，接着在第一层导带上涂覆和固化第二层非光敏BCB介质，之后在BCB介质层制作第二层TiW/Au导带，最后在第二层TiW/Au导带表面制作非光敏BCB钝化层及钝化层窗口。本发明将有源芯片晶圆片作为电路基板材料，通过薄膜多层布线技术，并采用新型BCB介质材料，实现了芯片I/O与外围元件的芯片级垂直互连，形成一种基于有源晶片上的高组装效率、高性能有源硅基板，解决了常规3D结构组装效率低、封装体积大、性能指标低等问题。

主权项

有源硅基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在有源晶圆片上制作第一层非光敏BCB介质层；2)在第一层BCB介质层上刻蚀第一通孔；3)在第一层BCB介质层上及第一通孔区域溅射第一TiW/Au复合层；4)在第一TiW/Au复合层表面涂覆光刻胶并光刻得到第一导带图形；5)在第一导带图形上带胶选择性电镀2‑4μm的Au层；6)超声清洗去除光刻胶；7)去除步骤5)中被光刻胶覆盖区域的第一TiW/Au复合层；8)在步骤7)所得产品表面制作第二层非光敏BCB介质层；9)在第二层BCB介质层上刻蚀第二通孔；10)在第二层BCB介质层上及第二通孔区域溅射第二TiW/Au复合层；11)在第二TiW/Au复合层表面涂覆光刻胶并光刻得到第二导带图形；12)在第二导带图形表面带胶选择性电镀2‑4μm的Au层；13)超声清洗去除光刻胶；14)在步骤13)所得产品表面制作非光敏BCB钝化层；15)刻蚀BCB钝化层窗口。