| 摘要 |
<p>뒤틀림 상태 형상을 적정하게 제어한, 가로 방향을 주전류 도통 방향으로 하는 전자 디바이스용 에피택셜 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. Si 단결정 기판과, 해당 Si 단결정 기판 상에 복수 층의 Ⅲ족 질화물층을 에피택셜 성장시켜 형성한 Ⅲ족 질화물 적층체를 구비하고, 가로 방향을 주전류 도통 방향으로 하는 전자 디바이스용 에피택셜 기판에 있어서, 상기 Si 단결정 기판과 상기 Ⅲ족 질화물 적층체와의 사이에, 절연층으로서의 버퍼를 더 구비하고, 상기 버퍼는, 1*10/cm이상의 C를 포함하는 초격자 다층 구조로 이루어지는 적층체를 갖고, 상기 Si 단결정 기판은, p형 기판이고, 또 비저항치가 0.01 Ωcm 이하인 것을 특징으로 한다.</p> |
