发明名称 THIN-FILM TRANSISTOR HAVING HIGH ADHESIVE STRENGTH BETWEEN BARRIER FILM AND DRAIN ELECTRODE AND SOURCE ELECTRODE FILMS
摘要 <p>이 박막 트랜지스터는, 배리어막과 전극막 사이에 밀착 강화막을 갖고, 밀착 강화막은, (a) 전극막측에 형성된 순구리화 대역과, (b) 배리어막과의 계면부에 형성되고, 구성 성분이 Cu 와 Ca 와 산소와 Si 로 이루어지는 성분 응집 대역의 2 대역으로 구성되며, 성분 응집 대역의 두께 방향에 있어서의 Ca 및 산소의 농도 분포 에 있어서 Ca 및 산소의 함유 피크의 최고 함유량이 각각 Ca : 5 ∼ 20 원자%, 및 산소 : 30 ∼ 50 원자% 이다.</p>
申请公布号 KR101527625(B1) 申请公布日期 2015.06.09
申请号 KR20117002192 申请日期 2009.09.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L29/786 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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