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<p>센스 패드를 구비한 고속으로 스위칭하는 전력용 반도체 장치에 있어서, 스위칭시에 변위 전류가 흐름으로써 그 유로의 저항과 함께, 센스 패드 하부의 웰 영역에 고 전압이 발생하고, 고 전압에 의해서 게이트 절연막과 같은 얇은 절연막이 절연 파괴되어 전력용 반도체 장치가 파괴하는 경우가 있었다. 본 발명에 따른 전력용 반도체 장치는, 센스 패드 하부의 웰 영역 위에 설치되며, 게이트 절연막보다 두꺼운 필드 절연막을 관통해서 소스 패드와 접속하는 센스 패드 웰 콘택트 홀을 구비하고 있기 때문에 신뢰성을 높일 수 있다.</p> |
