发明名称 Method for transferring an epitaxial layer
摘要 <p>도너 기판(1) 상에 중간층(2)을 형성하는 단계; 및 상기 중간층(2) 상에, 에피택시에 의한 에피택시층(3)을 형성하는 단계;를 포함하는, 구조물(10) 제조 단계로서, 상기 중간층(2)의 용해 온도는 상기 에피택시층(3)의 용해 온도보다 낮은, 구조물(10) 제조 단계; 및 상기 중간층(2)의 용해 온도와 상기 에피택시층(3)의 용해 온도 사이의 온도에서 수행되는, 적어도 한 번 이상의 열처리를 적용함으로써 상기 도너 기판(1)으로부터 상기 에피택시층(3)을 분리하는 단계(S5);를 포함하는, 에피택시층(3) 제조 방법이 개시된다.</p>
申请公布号 KR101527063(B1) 申请公布日期 2015.06.08
申请号 KR20097018793 申请日期 2008.04.15
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;H01L21/324 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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