| 摘要 |
<p>적어도 하부 돌출 형상의 상벽을 가지는 반응실 내에 단결정 기판을 배치하고 상기 반응실 내에 가스도입구로부터 원료가스 및 캐리어가스를 도입하여 단결정 기판 상에 에피텍셜층을 적층하는 매엽식 에피텍셜 성장방법으로서, 가스도입구로부터 반응실 내에 도입되는 캐리어가스의 유량에 따라 상기 반응실의 상벽의 곡율반경 및/또는 가스도입구의 상단과 반응실의 상벽의 하단과의 높이 방향에서의 차이를 조정한 후에 단결정 기판 상에 에피텍셜층을 적층하는 에피텍셜 성장방법을 제공한다. 이에 의해, 예를 들면 에피텍셜 웨이퍼의 품질이나 생산성의 향상 등 캐리어가스의 유량의 정도에 따라 부여되는 효과를 얻을 수 있음과 동시에 막두께 형상을 붕괴하지 않고 단결정 기판 상에 에피텍셜층을 적층할 수 있는 매엽식 에피텍셜 성장방법이 제공된다.</p> |
