SEMICONDUCTOR DEVICE, CERAMIC CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

摘要

본 발명에 관련된 반도체 장치 (1) 는, 도전성 재료로 이루어지는 회로층 (12) 과, 회로층 (12) 상에 탑재되는 반도체 소자 (3) 를 구비하고, 회로층 (12) 의 일방의 면에는, 기공률이 5 ％ 이상 55 ％ 이하의 범위 내로 된 하지층 (31) 이 형성되고, 이 하지층 (31) 상에 금속 입자 및 금속 산화물 입자의 적어도 일방 또는 양방과 유기물을 함유하는 접합재의 소성체로 이루어지는 접합층 (38) 이 형성되어 있고, 회로층 (12) 과 반도체 소자 (3) 가 하지층 (31) 및 접합층 (38) 을 개재하여 접합되어 있다.