发明名称 CMP SLURRY COMPOSITION FOR COPPER AND POLISHING METHOD USING THE SAME
摘要 <p>본 발명의 구리 연마용 CMP 슬러리 조성물은 연마 입자; 산화제; 아미노산; 부식억제제; 및 탈이온수를 포함하는 구리 연마용 CMP 슬러리 조성물이며, 상기 부식억제제는 트리아졸, 벤조트리아졸 또는 이들의 유도체를 포함하며,상기 아미노산은 전체 조성물 중 10 내지 20 중량% 인 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR101526005(B1) 申请公布日期 2015.06.04
申请号 KR20120158158 申请日期 2012.12.31
申请人 发明人
分类号 C09K3/14;H01L21/304 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人
主权项
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