| 摘要 |
<p>본 발명은: a) 전극 물질 (2)의 전극체 (1)를 제공하고, 여기서 유전체 (3)는 적어도 부분적으로 이러한 전극 물질 (2)의 일 표면 (4)을 피복하여 애노드체 (5)를 형성시키는 제공 단계; b) 분산제, 외부-도핑된 전도성 고분자 및 상기 외부-도핑된 전도성 고분자에 공유 결합되지 않는 반대-이온을 포함하는 분산액을 상기 애노드체 (5)의 적어도 일부로 도입시키는 단계; c) 캐패시터 몸체에서 고체 전해질 (6)을 얻기 위해 상기 분산제의 적어도 일부를 제거시키는 단계를 포함하고, 여기서, 자기-도핑된 전도성 고분자가 상기 애노드체 (5)의 적어도 일부로 부가적으로 도입되는 캐패시터의 생산 공정에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 공정에 의해 얻을 수 있는 캐패시터, 캐패시터, 전자 회로, 캐패시터의 용도 및 분산액에 관한 것이다.</p> |
