发明名称 一种高隔离性的n型LDMOS器件及其制造方法
摘要 本申请公开了一种高隔离性的n型LDMOS器件。在p型硅衬底中具有深n阱、轻掺杂n阱和轻掺杂p阱一。在深n阱中具有轻掺杂p阱二;在轻掺杂p阱二中具有重掺杂p阱二和重掺杂n阱一;在重掺杂p阱二中具有n型重掺杂的源极和体区引出区;在重掺杂n阱一中具有漏极;在部分的重掺杂p阱二和部分的重掺杂n阱一之上具有栅氧化层;在栅氧化层和紧邻的部分隔离结构四之上具有多晶硅栅极。在轻掺杂p阱一中具有重掺杂p阱一;在重掺杂p阱一中具有衬底引出区。在轻掺杂n阱中具有重掺杂n阱二;在重掺杂n阱二中具有保护环引出区。在硅材料的表面具有多个隔离结构。本申请可以实现体区与衬底、衬底与保护环、漏极与保护环的良好电学隔离。
申请公布号 CN104681608A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201310641803.0 申请日期 2013.12.03
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 李喆;王黎;陈瑜;陈华伦
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 殷晓雪
主权项 一种高隔离性的n型LDMOS器件,其特征是,在p型轻掺杂的硅衬底或外延层中具有轻掺杂的深n阱、轻掺杂n阱和轻掺杂p阱一;环形的轻掺杂n阱包围在深n阱的外侧;环形的轻掺杂p阱一包围在轻掺杂n阱的外侧;在深n阱中具有轻掺杂p阱二;在轻掺杂p阱二中具有重掺杂n阱一和环形的重掺杂p阱二;在重掺杂p阱二中具有n型重掺杂的源极和环形的p型重掺杂的体区引出区;在重掺杂n阱一中具有n型重掺杂的漏极;在部分的重掺杂p阱二和部分的重掺杂n阱一之上具有栅氧化层;在栅氧化层和紧邻的部分隔离结构四之上具有多晶硅栅极;在轻掺杂p阱一中具有环形的重掺杂p阱一;在重掺杂p阱一中具有环形的p型重掺杂衬底引出区;在轻掺杂n阱中具有环形的重掺杂n阱二;在重掺杂n阱二中具有环形的n型重掺杂的保护环引出区;在硅材料的表面具有多个隔离结构;环形的隔离结构一包围在衬底引出区的外侧;环形的隔离结构二位于衬底引出区和保护环引出区之间;环形的隔离结构三位于保护环引出区和体区引出区之间;隔离结构四位于重掺杂n阱一中,且位于多晶硅栅极和漏极之间;隔离结构五位于漏极和体区引出区之间。
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