| 发明名称 | 铜球键合界面结构和形成 | ||
| 摘要 | 本发明公开了铜球键合界面结构和形成。提供了具有铜球(32)的集成电路铜引线键合连接，铜球(32)直接键合到形成于低-k介电层(30)上的铝键合盘(31)以形成所述铜球的键合界面结构，其特征在于用于提供热循环可靠性的第一多个几何特征，包括位于所述铜球下面的外围位置(42)以防止铝键合盘中裂纹形成或扩展的铝最小值特征(Z1、Z2)。 | ||
| 申请公布号 | CN104681519A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201410696435.4 | 申请日期 | 2014.11.26 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 图-昂·N·德兰;约翰·G·阿瑟;区彦敬;李巨钟;熊正德;宋美江;叶嘉琳;马修·J·萨皮科 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈依虹;刘光明 |
| 主权项 | 一种集成电路铜引线键合连接，包括：铜球，所述铜球直接键合到形成于低k介电层上的铝键合盘以形成所述铜球的键合界面结构，其特征在于第一多个几何特征，包括位于所述铜球下面的外围位置处的铝最小值特征以提供每面积测量至少7.5gf/mil<sup>2</sup>的球剪切强度。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||