消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法

摘要

本发明涉及一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，工艺简单、有效。所述消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法为：将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。其中，混合气体气氛中，氢气体积百分比为0.1％-99.9％，氨气体积百分比为0.1％-99.9％，退火处理在气压为1K～1MPa的混合气体气氛中进行。退火处理的温度为500～1500℃，时间为5秒到500分钟。GaN厚膜材料厚度为5～1000微米之间时，特别适用于本发明。本发明的有益效果有：一、可有效消除GaN厚膜材料表面的缺陷态和抛光损伤；二，可去除GaN厚膜材料表面氧化薄层；三，可使GaN厚膜材料内部可能存在的应力得到一定程度的释放。

主权项

一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，其特征在于将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理，GaN厚膜材料的厚度介于5～1000微米之间；所述混合气体气氛中，氢气体积百分比为0.1％‑99.9％，氨气体积百分比为0.1％‑99.9％；所述退火处理在气压为1K～1M Pa的混合气体气氛中进行；退火处理的温度为500～1500℃，时间为5秒到500分钟；上述GaN厚膜材料是指在同质或异质衬底上使用氢化物气相外延制备的附于衬底上或自支撑的GaN厚膜材料。