发明名称 二碳化钼钨的高温高压制备方法
摘要 本发明的二碳化钼钨的高温高压制备方法,属于高温导电钼钨三元碳化物制备的技术领域。制备过程为将钼粉、钨粉和碳粉进行混合,按合成腔体大小压成圆柱状;将块状圆柱状原料装入加热容器,放入合成腔体中,在压力为2.0~6.0GPa、温度为1800~2000K下保温保压15~60分钟;最后冷却卸压,制得二碳化钼钨块状材料。本发明工艺流程简单,缩短了制备周期和烧结时间;不需要二元的碳化物做为原料;不需要任何如金属铝助熔剂;通过调节单质原料的配比、温度和压力来提高二碳化钼钨的纯度,并制备出了较高纯度的块体二碳化钼钨材料。
申请公布号 CN103601189B 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201310634390.3 申请日期 2013.11.30
申请人 吉林大学 发明人 崔田;马帅领;朱品文;刘冰冰;何志
分类号 C01B31/34(2006.01)I 主分类号 C01B31/34(2006.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 王恩远
主权项 一种二碳化钼钨的高温高压制备方法,以钼粉、钨粉和碳粉为原料,经原料混合、压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得二碳化钼钨块状材料;所述的原料混合,是将钼粉、钨粉和碳粉按摩尔比1∶1∶2~2.4进行混合;所述的压块,是指利用液压机按合成腔体大小将混合物的原料压成圆柱状;所述的组装,是将块状圆柱状原料装入加热容器,放入合成腔体中;所述的高温高压合成,是在压力为2.0~6.0GPa、温度为1800~2000K下保温保压15~60分钟;所述的冷却卸压,是停止通电加热后组装块自然冷却至常温,然后卸压。
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